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    国产存储新希望:基地项目已成功受电

      [  中关村在线 原创  ]   作者:霍杰华   |  责编:杨勇

        在存储领域,国产厂商一直没有太多发言权,但如今随着中国半导体存储的不断发展,已经取得了相当不俗的成就,近日根据报道,国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统日前已受电成功,终端机台的电力供给得到保证,芯片的目标量产指日可待。

        国家存储器基地项目的实施主体是长江存储科技有限责任公司。据武汉市此前公布的2019年第一季度政府工作报告执行情况显示,武汉东湖新技术开发区在存储器基地方面取得了重大进展,长江存储器基地一期已实现量产,一季度产能达到5000片/月,办公人数已达3000人。同时国家先进存储产业创新中心也已完成法人主体注册。

    国产存储新希望:基地项目已成功受电

        此前的报导中曾有提及,长江存储计划在年底量产64层3D NAND,同时将导入Xtacking™架构应用,并规划在2020年跳过96层3D NAND技术进入128层3D NAND阶段。

        此外,长江存储还将在近期正式推出Xtacking™ 2.0技术,根据推算,长江存储Xtacking™ 1.0导入到64层3D NAND,很可能到128层3D NAND会导入Xtacking™ 2.0,这将大幅度缩短与国际大厂在技术上的差距。

        对此我们希望国产厂商能够一步一个脚印的走好自己的路,虽然我们与一线厂商仍然存在着不小的差距,但追赶之路并不是一朝一夕能走完的事情,只有真正的技术积累才能够实现进步,实现真正的崛起,希望我们能够早日看见这一天。

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